SCT2H12NWBTL1

商品型号 :

SCT2H12NWBTL1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

21

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

790

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.5 欧姆@1.1A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@410µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

24 nC@18 V

Vgs(最大值)

+22V,-6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

197pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

39W(Tc)

工作温度

175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263CA-7LSHYAD

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

ECCN

EAR99