AP2309GN-VB

• 库存：449
• 起订量：5
• 倍数：1

• 品牌：

  VBsemi(微碧半导体)

• 分类：

  其它

• 封装：

  SOT-23-3

• 描述：

  台积电流片，长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种灵活多用、性能稳定的电子元件，适用于各种不同的领域和模块。 VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ，在VGS=10V时为46mΩ，最大漏极电流（ID）为-5.6A（负数表示为P沟道器件），这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为SOT23-3。

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• 最小包装量：500
• 批次：2520+