BSN20-VB

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• 起订量：10
• 倍数：1

• 品牌：

  VBsemi(微碧半导体)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  SOT-23-3

• 描述：

  台积电流片，长电封测。 N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V) 封装：SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗，适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术，具有较高的栅极-源极电阻，适合用于低功率应用。

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