STB6NK60ZT4-VB

• 库存：15
• 起订量：5
• 倍数：1

• 品牌：

  VBsemi(微碧半导体)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  TO-263

• 描述：

  台积电流片，长电封测。 一款单N沟道场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS）和3.5V的阈值电压（Vth）。在VGS=10V时，具有1100m?的导通电阻，能够承受最大10A的漏极电流（ID）。采用Plannar技术，封装为TO263。

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