STB140NF75T4-VB

• 库存：15
• 起订量：5
• 倍数：1

• 品牌：

  VBsemi(微碧半导体)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  TO-263

• 描述：

  台积电流片，长电封测。 推出的单极性 N 型沟道 MOSFET，具有80V的额定漏极-源极电压（VDS），可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V，漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?，在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A，采用先进的沟道 MOSFET 技术，具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263，适用于各种应用场合。

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• 最小包装量：100
• 批次：2520+