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VBQA1101N

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含税

1+

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10+

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¥7.0477

30+

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¥6.3457

100+

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¥4.3057

500+

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¥3.9482

1000+

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¥3.7652

  • 库存:60
  • 起订量:5
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

- +

合计:

¥41.59

  • 品牌:

    VBsemi(微碧半导体)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    QFN-8

  • 描述:

    台积电流片,长电封测。N沟道,100V,65A,RDS(ON),9mΩ@10V,12.36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V)封装:QFN8(5X6)适用于电机驱动、逆变器、电源管理系统、工业自动化与通信设备电源等。

  • 最小包装量:5000
  • 批次:2503+

商品VBQA1101N规格参数

商品型号 :

VBQA1101N

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

最小包装量 :

5000

起订量 :

5

批次 :

2503+

包装 :

--

库存 :

60

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