百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IPB057N06N-VB

IPB057N06N-VB

阶梯

美金

含税

5+

--

¥2.3853

  • 库存:50
  • 起订量:5
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

- +

合计:

¥11.9265

  • 品牌:

    VBsemi(微碧半导体)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-263

  • 描述:

    台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263 由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。

  • 最小包装量:800
  • 批次:2413+

商品IPB057N06N-VB规格参数

商品型号 :

IPB057N06N-VB

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

最小包装量 :

800

起订量 :

5

批次 :

2413+

包装 :

--

库存 :

50

IPB057N06N-VB 相关商品推荐

商品图片
型号/品牌/参数
库存/包装/批次

阶梯

香港交货

大陆交货(含税)

交期
合计
操作

优惠券

可领取的券

云芯AI助手