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    场效应管(MOSFET)VBM165R12采购_元器件采购商城
    数据手册

    VBM165R12

    阶梯

    美金

    含税

    1+

    --

    ¥6.1558

    10+

    --

    ¥5.0418

    50+

    --

    ¥3.987

    100+

    --

    ¥3.3242

    500+

    --

    ¥3.0152

    1000+

    --

    ¥2.8613

    • 库存：35
    • 起订量：5
    • 倍数：1

    货期：

    大陆: 2-3工作日

    数量：

    - +

    合计：

    ¥30.779

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    • 品牌：

      VBsemi(微碧半导体)

    • 分类：

      场效应管(MOSFET)

    • 封装：

      TO-220

    • 描述：

      台积电流片，长电封测。 N沟道,650V,12A,RDS(ON),800mΩ@10V,20Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO220 具有高漏源极电压和相对低的栅源极电阻，适用于各种电源模块，包括开关电源、逆变器等。

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    • 最小包装量：1000
    • 批次：2301+

    商品VBM165R12规格参数

    商品型号 :

    VBM165R12

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    VBsemi(微碧半导体)

    最小包装量 :

    1000

    起订量 :

    5

    批次 :

    2301+

    包装 :

    --

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