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VBL1204N

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美金

含税

1+

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¥12.6372

10+

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¥10.971

50+

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¥7.8141

100+

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¥6.7703

500+

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¥6.2731

1000+

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¥6.0157

  • 库存:50
  • 起订量:5
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

- +

合计:

¥63.186

  • 品牌:

    VBsemi(微碧半导体)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-263

  • 描述:

    台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=200V;ID =45A;RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,可用于设计各种功率范围的电源模块,如工业电源、UPS 电源等。

  • 最小包装量:1000
  • 批次:2301+

商品VBL1204N规格参数

商品型号 :

VBL1204N

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

最小包装量 :

1000

起订量 :

5

批次 :

2301+

包装 :

--

库存 :

50

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