VBZE06N03

• 库存：200
• 起订量：5
• 倍数：1

• 品牌：

  VBsemi(微碧半导体)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  TO-252

• 描述：

  台积电流片，长电封测。 一款单N沟道场效应管，具有20V的标称漏极-源极电压(VDS)，±20V的标称栅极-源极电压(VGS)，以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时，其导通电阻(RDS(on))为6mΩ，在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A，采用Trench技术（沟槽结构），封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。

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• 最小包装量：2500
• 批次：2302+