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SQD40131EL_GE3-VB

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¥14.581

  • 品牌:

    VBsemi(微碧半导体)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-252

  • 描述:

    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-50A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:TO252;适用于需要高侧开关、大电流控制和中功率电源管理的场景;例如电机驱动、DC-DC 转换器、电源输入防反接保护、电池保护、电源高侧开关与负载开关等。

  • 最小包装量:2500
  • 批次:2403+

商品SQD40131EL_GE3-VB规格参数

商品型号 :

SQD40131EL_GE3-VB

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

最小包装量 :

2500

起订量 :

5

批次 :

2403+

包装 :

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库存 :

50

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