百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > IPD180N10N3G-VB

IPD180N10N3G-VB

阶梯

美金

含税

5+

--

¥2.7531

  • 库存:50
  • 起订量:5
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

- +

合计:

¥13.7655

  • 品牌:

    VBsemi(微碧半导体)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-252

  • 描述:

    台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=100V;ID =35A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;作为一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于电源模块、驱动模块、LED照明、电动工具等多种领域和模块,可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。

  • 最小包装量:2500
  • 批次:2420+

商品IPD180N10N3G-VB规格参数

商品型号 :

IPD180N10N3G-VB

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

最小包装量 :

2500

起订量 :

5

批次 :

2420+

包装 :

--

库存 :

50

IPD180N10N3G-VB 相关商品推荐

商品图片
型号/品牌/参数
库存/包装/批次

阶梯

香港交货

大陆交货(含税)

交期
合计
操作

优惠券

可领取的券

云芯AI助手