STD8NM50N-VB

• 库存：15
• 起订量：5
• 倍数：1

• 品牌：

  VBsemi(微碧半导体)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  TO-252

• 描述：

  台积电流片，长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管（MOSFET），额定电压高达650V，适用于高压应用场景。门源电压范围广泛（±30V），具有良好的电压容忍性。阈值电压较低（3.5V），有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?，提供可靠的导通特性。漏极电流为7A，适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252，易于安装和散热。

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• 最小包装量：2500
• 批次：2418+