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VBM1101N

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¥6.1512

10+

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¥4.9838

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¥3.9153

100+

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¥3.3407

500+

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¥2.9877

1000+

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¥2.7993

  • 库存:35
  • 起订量:5
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

- +

合计:

¥30.756

  • 品牌:

    VBsemi(微碧半导体)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-220

  • 描述:

    台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。

  • 最小包装量:1000
  • 批次:2222+

商品VBM1101N规格参数

商品型号 :

VBM1101N

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

最小包装量 :

1000

起订量 :

5

批次 :

2222+

包装 :

--

库存 :

35

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