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VBE1203M

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  • 库存:59
  • 起订量:5
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

- +

合计:

¥22.4935

  • 品牌:

    VBsemi(微碧半导体)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-252

  • 描述:

    台积电流片,长电封测。 一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。200V,10A,RDS(ON),245mΩ@10V,368mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.06Vth(V) 封装:TO252

  • 最小包装量:2500
  • 批次:2222+

商品VBE1203M规格参数

商品型号 :

VBE1203M

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

最小包装量 :

2500

起订量 :

5

批次 :

2222+

包装 :

--

库存 :

59

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