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MDD20N06D

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¥0.3953

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  • 库存:2500
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 3-5工作日
香港:

数量:

- +

合计:

¥0.3953

  • 品牌:

    MDD(辰达)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-252

  • 描述:

    特性:Occ || Λ > d a& a^A|A[ a@a*a} WdaA, AaA@a*^ S,AaA- Aa- Aa8a8a & a8a8a&@a8a8a8a8a。应用:U|,A,8@*A|8a8a}

  • 最小包装量:2500
  • 批次:26+

商品MDD20N06D规格参数

商品型号 :

MDD20N06D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MDD(辰达)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

26+

包装 :

--

库存 :

2500

系列

--

包装

卷带(TR)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

26 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

40W

工作温度

-55℃~150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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