百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > DMZ85200E
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货期:
品牌:
分类:
封装:
SOT-23
描述:
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):10mA 导通电阻(RDS(on)):200Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):3.5V 栅极电荷量(Qg):1.57nC 输入电容(Ciss):30.3pF 反向传输电容(Crss):2.8pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:独立式 类型:N沟道 输出电容(Coss):9.2pF 栅极电压(Vgs):±20V
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 18000
标准包: 3000
增量: 3000
批次: 24+
库存: 15
标准包: 3000
增量: 1
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