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DMZ85200E

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  • 库存:15
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

- +

合计:

¥9.367

  • 品牌:

    ARK(方舟微)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    SOT-23

  • 描述:

    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):10mA 导通电阻(RDS(on)):200Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):3.5V 栅极电荷量(Qg):1.57nC 输入电容(Ciss):30.3pF 反向传输电容(Crss):2.8pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:独立式 类型:N沟道 输出电容(Coss):9.2pF 栅极电压(Vgs):±20V

  • 最小包装量:3000
  • 批次:2541+

商品DMZ85200E规格参数

商品型号 :

DMZ85200E

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ARK(方舟微)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

2541+

包装 :

--

库存 :

15

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