AO4409-VB

• 库存：300
• 起订量：5
• 倍数：1

• 品牌：

  VBsemi(微碧半导体)

• 分类：

  其它

• 封装：

  SOP-8

• 描述：

  台积电流片，长电封测。 P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。 具有参数：VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-2.5V。在VGS=4.5V时的导通电阻为15mΩ，在VGS=10V时为11mΩ，最大漏极电流（ID）为-13.5A。这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为SOP8。

  展开

• 最小包装量：4000
• 批次：2342+