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FTF25N35DHVT

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  • 库存:20
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

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合计:

¥14.9871

  • 品牌:

    ARK(方舟微)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    PDFN-3

  • 描述:

    数量:2个N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):900mA 导通电阻(RDS(on)):25Ω@10V 耗散功率(Pd):16W 阈值电压(Vgs(th)):5V 栅极电荷量(Qg):- 输入电容(Ciss):- 反向传输电容(Crss):- 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):- 栅极电压(Vgs):±20V

  • 最小包装量:5000
  • 批次:2550+

商品FTF25N35DHVT规格参数

商品型号 :

FTF25N35DHVT

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ARK(方舟微)

最小包装量 :

5000

起订量 :

1

批次 :

2550+

包装 :

--

库存 :

20

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