百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > DMD8515E
阶梯
美金
含税
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¥25.1542
10+
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¥22.7216
30+
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¥21.2528
100+
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¥17.7688
300+
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¥16.9082
500+
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¥16.3946
货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-252
描述:
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)):30Ω@0V 耗散功率(Pd):36W 阈值电压(Vgs(th)):1.5V 栅极电荷量(Qg):13.6nC 输入电容(Ciss):393.4pF 反向传输电容(Crss):4.1pF 工作温度:-55℃~+150℃ 类型:N沟道 输出电容(Coss):20.7pF
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 5
标准包: 3600
增量: 1
批次: 2544+
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¥25.1542
10+
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¥22.7216
30+
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¥21.2528
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¥17.7688
300+
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¥16.9082
500+
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¥16.3946
库存: 6
标准包: 3600
增量: 1
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¥28.3256
10+
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¥24.1724
30+
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¥21.6591
100+
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¥19.1685
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¥17.9333
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¥17.2747
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