百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > DMB8515E
阶梯
美金
含税
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¥24.0864
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¥21.757
30+
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¥20.3507
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¥17.0145
300+
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¥16.1904
500+
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¥15.6986
货期:
品牌:
分类:
描述:
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):600mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):42W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):13.6nC@10V 输入电容(Ciss):393.4pF 反向传输电容(Crss):4.1pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):20.7pF
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 10
标准包: 800
增量: 1
批次: 2502+
1+
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¥24.0864
10+
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¥21.757
30+
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¥20.3507
100+
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¥17.0145
300+
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¥16.1904
500+
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¥15.6986
库存: 95
标准包: 800
增量: 1
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¥30.3256
10+
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¥26.8966
30+
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¥24.7841
100+
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¥22.6966
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¥21.6222
800+
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¥21.011
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