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DMB8515E

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¥24.0864

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  • 库存:10
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-3工作日

数量:

- +

合计:

¥24.0864

  • 品牌:

    ARK(方舟微)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 描述:

    数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):850V 连续漏极电流(Id):600mA 导通电阻(RDS(on)):15Ω@0V 耗散功率(Pd):42W 阈值电压(Vgs(th)):4V 栅极电荷量(Qg):13.6nC@10V 输入电容(Ciss):393.4pF 反向传输电容(Crss):4.1pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):20.7pF

  • 最小包装量:800
  • 批次:2502+

商品DMB8515E规格参数

商品型号 :

DMB8515E

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ARK(方舟微)

最小包装量 :

800

起订量 :

1

批次 :

2502+

包装 :

--

库存 :

10

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