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SIS443DN-T1-GE3-VB

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大陆: 2-3工作日

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合计:

¥5.8057

  • 品牌:

    VBsemi(微碧半导体)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    QFN-8

  • 描述:

    台积电流片,长电封测。P沟道,-40V,-45A,RDS(ON),12mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V)封装:QFN8(3X3)适用于对高效率、大电流、小尺寸和高可靠性有严格要求的场景;如游戏机、工业摄像头、汽车影音功放、智能家电等。

  • 最小包装量:5000
  • 批次:2623+

商品SIS443DN-T1-GE3-VB规格参数

商品型号 :

SIS443DN-T1-GE3-VB

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VBsemi(微碧半导体)

最小包装量 :

5000

起订量 :

1

批次 :

2623+

包装 :

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库存 :

5000

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