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    场效应管(MOSFET)DMZ6001E采购_元器件采购商城
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    DMZ6001E

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    • 品牌：

      ARK(方舟微)

    • 分类：

      场效应管(MOSFET)

    • 描述：

      数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):2mA 导通电阻(RDS(on)):110Ω@0V 耗散功率(Pd):500mW 阈值电压(Vgs(th)):- 栅极电荷量(Qg):970pC 输入电容(Ciss):34.5pF 反向传输电容(Crss):2.6pF 工作温度:-55℃~+150℃ 配置:- 类型:N沟道 输出电容(Coss):9.2pF 栅极电压(Vgs):±20V

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    • 最小包装量：3000
    • 批次：2532+

    商品DMZ6001E规格参数

    商品型号 :

    DMZ6001E

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    ARK(方舟微)

    最小包装量 :

    3000

    起订量 :

    1

    批次 :

    2532+

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