PJQ5520S6-AU_R2_002A1

商品型号 :

PJQ5520S6-AU_R2_002A1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

PANJIT(强茂)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

3000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

27.8A(Ta),143A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.4 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

60 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2930pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.3W(Ta),88W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DFN5060-8

封装/外壳

8-PowerVDFN

REACH 状态

受 REACH 影响

ECCN

EAR99