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    S150N03D

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    • 品牌：

      HL(富海微)

    • 分类：

      其它

    • 封装：

      PDFN-8L(3x3)

    • 描述：

      平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.4/2.1 连续漏极电流ID(A):150A

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    • 最小包装量：5000
    • 批次：26+

    商品S150N03D规格参数

    商品型号 :

    S150N03D

    类目 :

    其它

    品牌 :

    HL(富海微)

    最小包装量 :

    5000

    起订量 :

    1

    批次 :

    26+

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