百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > 80N06T
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TO-220
描述:
工艺:沟槽,类型:N,漏源电压(Vdss) (V):60,阈值电压VGS:±25,Vth(V):2~4,导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.3,连续漏极电流ID(A):80A
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