百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > S120N04D
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PDFN-8L(3x3)
描述:
工艺:SGT,类型:N,漏源电压(Vdss) (V):40,阈值电压VGS:±20,Vth(V):1.2~2.2,导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/2.8,连续漏极电流ID(A):120A
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