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C3M0900170D

阶梯

美金

含税

30+

$2.9861

¥22.812

300+

$2.9107

¥22.236

1500+

$2.3738

¥18.1344

3000+

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¥18.0351

关税
  • 库存:960
  • 起订量:30
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大陆: 10-13工作日
香港: 7-10工作日

数量:

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合计:

¥684.36

  • 最小包装量:30
  • 批次:2633+

商品C3M0900170D规格参数

商品型号 :

C3M0900170D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

30

起订量 :

30

批次 :

2633+

包装 :

--

库存 :

960

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.25 欧姆@1.99A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.2V@550µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

10 nC@15 V

Vgs(最大值)

+20V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

202pF@1200 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

41W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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