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IMBG65R039M1HXTMA1
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货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
TO-263-7
-
描述：
碳化硅沟槽功率MOSFET，具备高性能、高可靠性和易用性，适用于高温和恶劣环境
- 最小包装量：1000
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商品IMBG65R039M1HXTMA1规格参数
商品型号 :
IMBG65R039M1HXTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1000
起订量 :
1
批次 :
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包装 :
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库存 :
9
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