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IMBG65R039M1HXTMA1
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货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-TO263-7-12
-
描述：
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
- 最小包装量：1
- 批次：2228+
IMBG65R039M1HXTMA1其他库存
商品IMBG65R039M1HXTMA1规格参数
商品型号 :
IMBG65R039M1HXTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
2
批次 :
2228+
包装 :
--
库存 :
640
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
54A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
51 毫欧@25A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.7V@7.5mA
Vgs(最大值)
+23V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1393pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
211W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
产品状态
在售
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