百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > HL8205A
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TSSOP-8
描述:
工艺:沟槽,类型:N+N,漏源电压(Vdss) (V):20,阈值电压VGS:±12,Vth(V):0.4~1,导通电阻RDS(ON) (mΩ):18.5/23,连续漏极电流ID(A):6A
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