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货期:
品牌:
分类:
封装:
TOLL
描述:
IPT015N10N5采用先进的SGTMOS FET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更高的耐用性。
商品型号 :
IPT015N10N5-HXY
类目 :
品牌 :
HXY MOSFET(华轩阳电子)
最小包装量 :
2000
起订量 :
1
批次 :
26+
包装 :
--
库存 :
1972
阶梯
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库存: 360000
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增量: 2000
批次: 26+
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