SGT3D5R10MEB

商品型号 :

SGT3D5R10MEB

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

185

系列

ECOPACK®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

201A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.5 毫欧@25A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.1V@7.6mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.3 nC@5 V

Vgs(最大值)

+6V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

868pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

255W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

9-En-FCLGA (3.3x3.3)

封装/外壳

9-PowerVDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99