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G80P03K

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¥8.6213

关税
  • 库存:2500
  • 起订量:11
  • 倍数:1

货期:

大陆: 9-12工作日
香港: 6-9工作日

数量:

- +

合计:

¥94.8343

  • 品牌:

    GOFORD(谷峰)

  • 分类:

    场效应管(MOSFET)

  • 封装:

    TO-252

  • 描述:

    P-CH,-30V,-80A,RD(max) Less Than 5.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252

  • 最小包装量:1
  • 批次:2405+

商品G80P03K规格参数

商品型号 :

G80P03K

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

1

起订量 :

11

批次 :

2405+

包装 :

--

库存 :

2500

系列

SGT

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5.5 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

30 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5496pF@15 V

功率耗散(最大值)

78W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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