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DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
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品牌：
-
分类：
-
描述：
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 21-Pin Tray
- 最小包装量：1
- 批次：2520+
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商品DF17MR12W1M1HFB86BPSA1规格参数
商品型号 :
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
2520+
包装 :
--
库存 :
24
系列
EasyPACK™
包装
托盘
技术
碳化硅(SiC)
配置
3 N 沟道
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tj)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧@50A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.15V@20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
74nC@18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4400pF@800V
功率 - 最大值
--
工作温度
-40℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
--
ECCN
EAR99
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