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    商品IMZA120R040M2HXKSA1规格参数

    商品型号 :

    IMZA120R040M2HXKSA1

    类目 :

    其它

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

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    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    2530+

    包装 :

    --

    库存 :

    135

    系列

    CoolSiC™

    包装

    管件

    FET 类型

    N 通道

    技术

    SiCFET(碳化硅)

    漏源电压(Vdss)

    1200V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    48A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    15V,18V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    51 毫欧@18A,18V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.1V@5.5mA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    39 nC@18 V

    Vgs(最大值)

    +23V,-7V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    1310pF@800 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    218W(Tc)

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    通孔

    供应商器件封装

    PG-TO247-4-8

    封装/外壳

    TO-247-4

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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