G1K1P10TE

商品型号 :

G1K1P10TE

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

50

起订量 :

1000

批次 :

2540+

包装 :

--

库存 :

2000

系列

Trench

包装

管件

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

24A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

110 毫欧@15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

65 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3300pF@50 V

功率耗散(最大值)

88W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99