SI2343DS-T1-BE3-HXY

• 库存：3003
• 起订量：1
• 倍数：1

• 品牌：

  HXY MOSFET(华轩阳电子)

• 分类：

  其它

• 封装：

  SOT-23

• 描述：

  本P沟道场效应管（MOSFET）具有4.2A连续漏极电流（ID）和30V漏源电压（VDSS）的额定值，导通电阻（RDON）低至45毫欧，可有效提升电路效率并降低温升。器件适用于各类中低功率电源转换与控制场合，如便携式电子产品、智能控制模块、通信设备及家用电器中的电源管理单元，提供稳定可靠的开关性能。

  展开

• 最小包装量：3000
• 批次：26+