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GNP2130TEC-ZE2

阶梯

美金

含税

16+

$6.4078

¥48.7919

25+

$6.1326

¥46.6963

50+

$5.8989

¥44.9166

100+

$5.6988

¥43.3931

关税
  • 库存:200
  • 起订量:16
  • 倍数:1

货期:

大陆: 12-15工作日
香港: 9-12工作日

数量:

- +

合计:

¥780.6704

  • 最小包装量:1
  • 批次:2501+

商品GNP2130TEC-ZE2规格参数

商品型号 :

GNP2130TEC-ZE2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

16

批次 :

2501+

包装 :

--

库存 :

200

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

14.5A(TC)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V,6V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

182 毫欧@4A,6V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@9mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.8 nC@6 V

Vgs(最大值)

+6.5V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

112pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

91W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DFN8080CK

封装/外壳

8-VDFN 祼焊盘

基本产品编号

GNP2130

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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