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IXFN110N60P3

阶梯

美金

含税

10+

--

¥219.5455

210+

--

¥217.0787

510+

--

¥214.6667

1010+

--

¥212.3077

  • 库存:630
  • 起订量:10
  • 倍数:10

货期:

大陆: 3-4个工作日

数量:

- +

合计:

¥2195.455

  • 最小包装量:1
  • 批次:25+

商品IXFN110N60P3规格参数

商品型号 :

IXFN110N60P3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

1

起订量 :

10

批次 :

25+

包装 :

--

库存 :

630

系列

HiPerFET™,Polar3™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

56 毫欧@55A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5V@8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

245 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

18000pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1500W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

底座安装

供应商器件封装

SOT-227B

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

基本产品编号

IXFN110

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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