NGB15T65M3DFPJ

商品型号 :

NGB15T65M3DFPJ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

800

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

33A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.7V@15V,15A

功率 - 最大值

127W

开关能量

330µJ(导通),190µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

45 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

12ns/88ns

测试条件

400V,15A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

88ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

供应商器件封装

D2PAK

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99