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SIHK100N65E-T1-GE3-HXY
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品牌：
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分类：
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封装：
TOLLS
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描述：
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
- 最小包装量：2000
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商品SIHK100N65E-T1-GE3-HXY规格参数
商品型号 :
SIHK100N65E-T1-GE3-HXY
类目 :
品牌 :
HXY MOSFET(华轩阳电子)
最小包装量 :
2000
起订量 :
1
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包装 :
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库存 :
16
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