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场效应管(MOSFET)STD7N65M2-HXY采购_元器件采购商城

STD7N65M2-HXY

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品牌：

HXY MOSFET(华轩阳电子)
分类：

场效应管(MOSFET)
封装：

TO-252-2L
描述：

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，低导通电阻、低电容、高速开关、低反向恢复

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最小包装量：2500

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STD7N65M2-HXY

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品牌：

HXY MOSFET(华轩阳电子)

库存：

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起订量：

2500

商品STD7N65M2-HXY规格参数

商品型号 :

STD7N65M2-HXY

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

HXY MOSFET(华轩阳电子)

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2500

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STD7N65M2-HXY
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)

分类： 场效应管(MOSFET)

封装： TO-252

库存： 360000

标准包： 2500

增量： 2500

批次： 26+

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STD7N65M2-HXY
品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)

分类： 场效应管(MOSFET)

封装： TO-252-2L

库存： 4

标准包： 2500

增量： 1

1+

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¥4.0814

10+

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¥3.2529

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