MDD50N03D

商品型号 :

MDD50N03D

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MDD(辰达)

最小包装量 :

1

起订量 :

20

批次 :

1年内，3年内

包装 :

卷装(TR)/2500

库存 :

9105

系列

--

包装

卷带(TR)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

9 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

23.6 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1015pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

28W(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99