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GT043N15T

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  • 起订量:1
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香港: 8-11工作日

数量:

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合计:

¥297.7458

  • 包装:管件
  • 最小包装量:50

商品GT043N15T规格参数

商品型号 :

GT043N15T

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

40

系列

--

包装

管件

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

143A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5.3 毫欧@90A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

功率耗散(最大值)

275W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • GT043N15T

    品牌: GOFORD(谷峰)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: TO-220

    库存: 40

    标准包: 50

    增量: 1

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    500+

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    大陆: 10-13工作日
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