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GS0650111LMRXUSA1
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品牌：
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分类：
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封装：
8-PDFN（5x6）
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描述：
GAN TRANSISTOR, 650V, 11A, PDFN
- 最小包装量：1
GS0650111LMRXUSA1其他库存
商品GS0650111LMRXUSA1规格参数
商品型号 :
GS0650111LMRXUSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
70
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧@3.2A,6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V@2.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.2 nC@6 V
Vgs(最大值)
+7V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
70pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
--
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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