GT115N15T

商品型号 :

GT115N15T

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

50

系列

--

包装

管件

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

88A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11.5 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

功率耗散(最大值)

179W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99