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SOT-23(TO-236)
描述:
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。低导通电阻(RDS(ON))和低正向二极管导通电阻(FDM)。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿气敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
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