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NGW60T65M3DFPQ

阶梯

美金

含税

1+

--

¥54.7927

10+

--

¥36.6867

100+

--

¥29.4846

500+

--

¥22.2825

1000+

--

¥21.452

  • 库存:450
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-12工作日

数量:

- +

合计:

¥54.7927

  • 最小包装量:1

商品NGW60T65M3DFPQ规格参数

商品型号 :

NGW60T65M3DFPQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

450

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

180A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

1.9V@15V,60A

功率 - 最大值

431W

开关能量

1.91mJ(导通),930µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

217 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

36ns/270ns

测试条件

400V,60A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

102ns

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3L

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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