E4MS025120K

商品型号 :

E4MS025120K

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

30

起订量 :

30

批次 :

2547+

包装 :

--

库存 :

2190

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

77A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

33 毫欧@39.2A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.9V@10.8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

125 nC@18 V

Vgs(最大值)

+23V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3087pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

281W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4L

封装/外壳

TO-247-4

ECCN

EAR99